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NEU
DeLock Flash Modul IDE 44Pin 1GB Vertikal
DeLock Flash Modul IDE 44Pin 1GB Vertikal
• Speicherkapazität 1GB • IDE 44pin Schnittstelle • Betriebsspannung 3.3V oder 5V • Betriebstemperatur: -10°C bis +70°C • Maximale Schreibzyklen: 3000 • Static wear leveling • Auto Sleep & Power-Down Modus • Integrierte ECC Funktion für...

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NEU
MEM DDR4-RAM 3200  16GB Crucial
MEM DDR4-RAM 3200 16GB Crucial
• Technologie: DDR4 SDRAM • Formfaktor: DIMM 288-PIN • Geschwindigkeit: 3200 MHz (PC4-25600) • Latenzzeiten: CL22 • Datenintegritätsprüfung: Non-ECC • Besonderheiten: Ungepuffert • Spannung: 1.2 V

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MEM DDR4-RAM 3200  16GB G.Skill AEGIS (2x8GB)
MEM DDR4-RAM 3200 16GB G.Skill AEGIS (2x8GB)
• Typ: DDR4 DIMM 288-Pin • Module: 2x 8GB • JEDEC: PC4-25600 • CL16 • 1.35 V • ungepuffert • non-ECC

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MEM DDR4-RAM 2666  8GB Samsung
MEM DDR4-RAM 2666 8GB Samsung
• Typ: DDR4 SDRAM • Formfaktor: DIMM 288-PIN • Geschwindigkeit: 2666 MHz (PC4-21300) • Datenintegritätsprüfung: Non-ECC • Besonderheiten: Single Rank, ungepuffert • Modulkonfiguration: 1024 x 64 • Chip-Organisation: 1024 x 8 • Spannung:...

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MEM So-DIMM2666 DDR4  8GB Samsung
MEM So-DIMM2666 DDR4 8GB Samsung
• Typ: DDR4 SDRAM • Formfaktor: SO DIMM 260-PIN • Geschwindigkeit: 2666 MHz (PC4-21300) • Datenintegritätsprüfung: Non-ECC • Besonderheiten: Single Rank, ungepuffert • Chip-Organisation: 1024 x 8 • Spannung: 1.2 V

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MEM So-DIMM2666 DDR4 16GB Samsung
MEM So-DIMM2666 DDR4 16GB Samsung
• Typ: DDR4 SDRAM • Formfaktor: SO DIMM 260-PIN • Geschwindigkeit: 2666 MHz (PC4-21300) • Datenintegritätsprüfung: Non-ECC • Besonderheiten: Dual Rank, ungepuffert • Chip-Organisation: 1024 x 8 • Spannung: 1.2 V

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MEM DDR4-RAM 3200  16GB Samsung - registered, ECC
MEM DDR4-RAM 3200 16GB Samsung - registered, ECC
• Typ: DDR4 DIMM 288-Pin • Ranks/Bänke: single rank • Module: 1x 16GB • JEDEC: PC4-25600

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MEM So-DIMM2666 DDR4  8GB Micron
MEM So-DIMM2666 DDR4 8GB Micron
• Typ: DRAM memory module • Technologie: DDR4 SDRAM • Formfaktor: SO DIMM 260-PIN • Geschwindigkeit: 2666 MHz (PC4-21300) • Datenintegritätsprüfung: Non-ECC • Besonderheiten: Ungepuffert • Spannung: 1.2 V

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MEM So-DIMM2666 DDR4  4GB Micron
MEM So-DIMM2666 DDR4 4GB Micron
• Typ: DRAM memory module • Technologie: DDR4 SDRAM • Formfaktor: SO DIMM 260-PIN • Geschwindigkeit: 2666 MHz (PC4-21300) • Datenintegritätsprüfung: Non-ECC • Besonderheiten: Ungepuffert • Spannung: 1.2 V

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MEM DDR4-RAM 2666 16GB Kingston Server Premier - ECC
MEM DDR4-RAM 2666 16GB Kingston Server Premier...
• DIMM 288-PIN 2666 MHz / PC4-21300 CL19 1.2 V ungepuffert ECC

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MEM DDR4-RAM 3200   8GB Kingston ValueRAM
MEM DDR4-RAM 3200 8GB Kingston ValueRAM
• Typ: DDR4 DIMM 288-Pin • Module: 1x 8GB • JEDEC: 3200 MHz / PC4-25600 • Spannung: 1.2V • ungepuffert - non-ECC • CL22

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MEM DDR4-RAM 3200  16GB Samsung Reg. / ECC
MEM DDR4-RAM 3200 16GB Samsung Reg. / ECC
• Typ: DDR4 DIMM 288-Pin • Module: 1x16GB • JEDEC: 3200 MHz / PC4-25600 • Spannung: 1.2V • registriert - ECC • CAS Latenz: 22

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