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MEM So-DIMM2666 DDR4 16GB Kingston Premier ECC
MEM So-DIMM2666 DDR4 16GB Kingston Premier ECC
• Formfaktor: SO DIMM 260-PIN 2666 MHz / PC4-21300 CL19 1.2 V ungepuffert ECC

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MEM DDR4-RAM 2666 16GB Kingston
MEM DDR4-RAM 2666 16GB Kingston
• Typ: DRAM Speichermodul • Technologie: DDR4 SDRAM Formfaktor: DIMM 288-PIN • Geschwindigkeit: 2666 MHz (PC4-21300) Latenzzeiten: CL19 • Datenintegritätsprüfung: CL19c Besonderheiten: Single Rank, ungepuffert • Chip-Organisation: X16 •...

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MEM DDR4-RAM 3200 64GB Samsung ECC
MEM DDR4-RAM 3200 64GB Samsung ECC
• Speicherkapazität: 64 GB • Speichertyp: DDR4 • Effektiver Speichertakt: 3200 MHz • Spannung: 1.2 V • Speicher-Timing: CL22 • Datenintegritätsprüfung: ECC • Besonderheiten: Dual Rank, registriert

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MEM DDR4-RAM 2666 16GB Samsung
MEM DDR4-RAM 2666 16GB Samsung
• Speicherkapazität: 16 GB • Speichertyp: DDR4 • Effektiver Speichertakt: 2666 MHz • Datenintegritätsprüfung: Non-ECC • Besonderheiten: Dual Rank, ungepuffert

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MEM DDR4-RAM 3200 32GB Samsung ECC
MEM DDR4-RAM 3200 32GB Samsung ECC
• Speicherkapazität: 32 GB • Speichertyp: DDR4 • Effektiver Speichertakt: 3200 MHz • Spannung: 1.2 V • Speicher-Timing: CL22 • Datenintegritätsprüfung: ECC • Besonderheiten: Registriert

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MEM DDR4-RAM 3200 16GB Samsung ECC
MEM DDR4-RAM 3200 16GB Samsung ECC
• Speicherkapazität: 16 GB • Speichertyp: DDR4 • Effektiver Speichertakt: 3200 MHz • Speicher-Timing: CL22 • Datenintegritätsprüfung: ECC • Besonderheiten: Registriert

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MEM So-DIMM4800 DDR5 16GB Transcend
MEM So-DIMM4800 DDR5 16GB Transcend
• Formfaktor: SO DIMM 262-PIN • Spannung: 1.1 V • Geschwindigkeit: 4800 MHz (PC5-38400) • Latenzzeiten: CL40 • Datenintegritätsprüfung: Non-ECC • Besonderheiten: Temperaturüberwachung, Dual Rank, mit Power Management IC (PMIC),...

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MEM DDR5-RAM 4800 32GB Transcend JetRam
MEM DDR5-RAM 4800 32GB Transcend JetRam
• Formfaktor: DIMM 288-PIN • Spannung: 1.1 V • Geschwindigkeit: 4800 MHz • Latenzzeiten: CL40 • Datenintegritätsprüfung: Non-ECC • Besonderheiten: Dual Rank, ungepuffert

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MEM DDR5-RAM 4800  8GB Samsung
MEM DDR5-RAM 4800 8GB Samsung
• Speicherkapazität: 8 GB • Speichertyp: DDR5 • Effektiver Speichertakt: 4800 MHz • Speicher-Timing: CL40

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MEM DDR4-RAM 3200 16GB Transcend JetRam
MEM DDR4-RAM 3200 16GB Transcend JetRam
• Formfaktor: DIMM 288-PIN • Spannung: 1.2 V • Geschwindigkeit: 3200 MHz (PC4-25600) • Latenzzeiten: CL22 • Datenintegritätsprüfung: Non-ECC • Besonderheiten: Dual Rank, ungepuffert

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MEM So-DIMM3200 DDR4 16GB Transcend JetRam
MEM So-DIMM3200 DDR4 16GB Transcend JetRam
• Formfaktor: SO DIMM 260-PIN • Spannung: 1.2 V • Geschwindigkeit: 3200 MHz (PC4-25600) • Latenzzeiten: CL22 • Datenintegritätsprüfung: Non-ECC • Besonderheiten: Dual Rank, ungepuffert

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MEM DDR4-RAM 3200  4GB Transcend JetRam
MEM DDR4-RAM 3200 4GB Transcend JetRam
• Formfaktor: DIMM 288-PIN • Spannung: 1.2 V • Geschwindigkeit: 3200 MHz (PC4-25600) • Latenzzeiten: CL22 • Datenintegritätsprüfung: Non-ECC • Besonderheiten: Single Rank, ungepuffert

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